刻光機／曝光機的準確與精準

 近日，中國媒體宣稱中國已經成功研製出全新的8奈米曝光機，這一消息引發高度關注。然而，實際情況卻與外界的理解有所偏差。目前，中國的曝光技術，距離生產7奈米乃至更先進製程的晶片，仍然有很大的技術差距。

根據報導，中國所謂的「8奈米曝光機」並非能夠直接製造7奈米或8奈米製程的晶片。曝光機的核心參數主要包括晶圓直徑、照明波長和解析度等，其中最關鍵的指標是「解析度」。目前，中國曝光機的解析度大致只能達到65奈米，而非市場所誤解的7奈米等級。具體來說，雖然這些曝光機的套刻精度可達8奈米，但這與晶片製程無關。套刻精度指的是不同層次圖形對準的精度，而並非製程工藝的尺寸。因此，中國目前的曝光技術水準，實際上僅相當於ASML在2006年推出的產品。

套刻精度與晶片製程完全不同。例如，ASML的曝光機，解析度達到57奈米，但其能夠實現的最小製程僅為65奈米，套刻精度卻可達4奈米。因此，當中國曝光機的套刻精度達到8奈米時，這並不代表其能夠實現7奈米製程，實際的晶片製程仍然只能維持在65奈米。

此外，即便採用了多重曝光技術，僅從理論上來說，中國曝光機最多也只能達到28奈米的製程水準。多重曝光技術是將原本應一次曝光的複雜圖形，分解成多層簡單的圖形，然後逐層進行曝光，最終再將這些圖形疊加。然而，這種技術的最大問題在於，雖然能夠暫時提升製程水準，但晶片的良率會極低。若要量產，必須達到一定的良率標準，一般而言，良率需達到70%以上，而當前的多重曝光技術良率遠低於此標準。

因此，多重曝光技術只能算是短期權宜之計，並非解決問題的根本辦法。要真正實現7奈米的先進製程，關鍵還在於EUV（極紫外線）曝光技術。全球目前只有荷蘭的ASML公司具備量產EUV曝光機的能力，該設備是唯一能夠製造7奈米及以下製程的曝光設備。

回顧EUV曝光機的發展歷程，這項技術自1993年開始理論研究，經過多年探索，直到2013年才在實驗室中實現樣品製作，並於2016年進入批量生產。ASML公司成功量產EUV曝光機的背後，是依賴全球上千家供應商的協作，這也意味著，中國若要達到同樣的技術水平，面臨著巨大挑戰。即使中國能夠建構出完整的供應鏈，從現有技術水平進化到量產EUV曝光機，至少還需要十年的時間。

中國目前的曝光技術雖然有所進展，但距離實現7奈米的高端製程還有很長的路要走。即便短期內能夠使用多重曝光技術提高製程水平，但其高成本與低良率使得這種方法並不具備長期的實用性。要真正達到先進製程的水準，仍需要在EUV曝光技術上取得突破，而這將是一個漫長且充滿挑戰的過程。中國如果真的要完全追上現在全球最先進的7奈米製程，至少還需十年以上的努力。

資料來源：Emmy追劇時間、卓克科技參考